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标题: EN 62374-2007 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验 [打印本页]

作者: sigh007 时间: 2012-3-21 19:52:14 标题: EN 62374-2007 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验

【英文标准名称】: Semiconductor devices - Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) test for gate dielectric films (IEC 62374:2007); German version EN 62374:2007 【原文标准名称】: 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验【标准号】: EN 62374-2007 【标准状态】: 现行【国别】: 【发布日期】: 2008-02 【实施或试行日期】: 2008-02-01【发布单位】: 欧洲标准学会(EN)【起草单位】: 【标准类型】: ()【标准水平】: ()【中文主题词】: 击穿;检验设备;元部件;定义;介质;电气工程;电子设备及元件;外壳;故障;大门;热室;寿命(耐久性);测量技术;半导体器件;应力;测试;测试装置;与时间有关的;电压;电压应力【英文主题词】: Breakdown;Checking equipment;Components;Definition;Definitions;Dielectric;Electrical engineering;Electronic equipment and components;Enclosures;Failure;Gates;Heating chamber;Life (durability);Measuring techniques;Semiconductor devices;Stress;Testing;Testing devices;Time-dependent;Voltage;Voltage stress【摘要】: 【中国标准分类号】: L40【国际标准分类号】: 31_080_01【页数】: 24P.;A4【正文语种】: 英语

作者: 茉沫菇 时间: 2014-7-28 21:13:43

谢谢楼主的分享哦~~~资料很有用~~~

作者: liuyq0204 时间: 2014-8-5 21:51:41

新手上路,学习中,请大家多多指点.好像没有看到标准哦

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