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EN 62374-2007 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验 [复制链接]



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  • TA的每日心情
    擦汗
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    楼主
    发表于 2012-3-21 19:52:14 |只看该作者 |正序浏览

                       【英文标准名称】:     Semiconductor devices - Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) test for gate dielectric films (IEC 62374:2007); German version EN 62374:2007            【原文标准名称】:     半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验            【标准号】:     EN 62374-2007            【标准状态】:     现行            【国别】:                 【发布日期】:     2008-02    【实施或试行日期】: 2008-02-01【发布单位】: 欧洲标准学会(EN)【起草单位】: 【标准类型】: ()【标准水平】: ()【中文主题词】: 击穿;检验设备;元部件;定义;介质;电气工程;电子设备及元件;外壳;故障;大门;热室;寿命(耐久性);测量技术;半导体器件;应力;测试;测试装置;与时间有关的;电压;电压应力【英文主题词】: Breakdown;Checking equipment;Components;Definition;Definitions;Dielectric;Electrical engineering;Electronic equipment and components;Enclosures;Failure;Gates;Heating chamber;Life (durability);Measuring techniques;Semiconductor devices;Stress;Testing;Testing devices;Time-dependent;Voltage;Voltage stress【摘要】: 【中国标准分类号】: L40【国际标准分类号】: 31_080_01【页数】: 24P.;A4【正文语种】: 英语         
             
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    开心
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    发表于 2014-8-5 21:51:41 |只看该作者
    新手上路,学习中,请大家多多指点.好像没有看到标准哦
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    发表于 2014-7-28 21:13:43 |只看该作者
    谢谢楼主的分享哦~~~资料很有用~~~
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