NF C96-017-2008 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验
【英文标准名称】: Semiconductor devices - Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) test for gate dielectric films. 【原文标准名称】: 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验 【标准号】: NF C96-017-2008 【标准状态】: 现行 【国别】: 法国 【发布日期】: 2008-01-01 【实施或试行日期】: 2008-01-26【发布单位】: 法国标准化协会(AFNOR)【起草单位】: 【标准类型】: ()【标准水平】: ()【中文主题词】: 击穿;检验设备;元部件;定义;介质;电气工程;电子设备及元件;外壳;故障;大门;热室;寿命;测量技术;半导体器件;应力;测试;试验装置;与时间相关的;电压;电压应力【英文主题词】: 【摘要】: 【中国标准分类号】: L40【国际标准分类号】: 31_080_01【页数】: 25P;A4【正文语种】: 其他
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